1N6481HE3/97 نرخ (ډالر) [704650د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.05249
- 10,000 pcs$0.04757
- برخه شمیره:
- 1N6481HE3/97
- جوړوونکی:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - ریکټفایر - واحد, ډایډز - د پل تصفیه کونکي, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF and تیریسټران - SCRs ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6481HE3/97 electronic components. 1N6481HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6481HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6481HE3/97 د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
1N6481HE3/97
جوړوونکی :
Vishay Semiconductor Diodes Division
توضيح :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
لړۍ :
SUPERECTIFIER®
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
400V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
1A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.1V @ 1A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
-
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
10µA @ 400V
ظرفیت @ Vr ، F :
8pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
DO-213AB, MELF (Glass)
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DO-213AB
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-65°C ~ 175°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
ګرم برخې
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54