برخه شمیره :
VS-HFA08TA60C-N3
جوړوونکی :
Vishay Semiconductor Diodes Division
توضيح :
DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
600V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
4A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.8V @ 4A
سرعت :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
155ns
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
3µA @ 600V
د غونډلو ډول :
Through Hole
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
TO-220AB
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C