Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG1S3HBAI4

KEY Part #: K938201

TC58BVG1S3HBAI4 نرخ (ډالر) [19544د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$2.34452

برخه شمیره:
TC58BVG1S3HBAI4
جوړوونکی:
Toshiba Memory America, Inc.
تفصیلي توضیحات:
2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: PMIC - د انرژي اندازه کول, د معلوماتو لاسته راوړنه - د ټچ سکرین کنټرولرونه, PMIC - د ولټاژ تنظیم کونکي - د لین تنظیموونکي کنټر, تخصصي ICs, ایمبیډ شوی - په چپ باندې سیسټم (SoC), PMIC - د بیټرۍ چارجرونه, د معلوماتو لاسته راوړنه - د ډیجیټل بدلونکو انډول ( and انٹرفیس - کوډیکس ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG1S3HBAI4 electronic components. TC58BVG1S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG1S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG1S3HBAI4 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : TC58BVG1S3HBAI4
جوړوونکی : Toshiba Memory America, Inc.
توضيح : 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
لړۍ : Benand™
برخه حالت : Active
د یاد ډول : Non-Volatile
د حافظې ب .ه : FLASH
ټیکنالوژي : FLASH - NAND (SLC)
د حافظې اندازه : 2Gb (256M x 8)
د ساعت فریکونسۍ : -
د سایکل وخت - کلمه ، پا Writeه ولیکئ : 25ns
د رسي وخت : -
د یادونې برسیر : -
ولټاژ - عرضه کول : 2.7V ~ 3.6V
د تودوخې چلول : -40°C ~ 85°C (TA)
د غونډلو ډول : Surface Mount
بسته / قضیه : 63-VFBGA
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : 63-TFBGA (9x11)

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C